首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   17392篇
  免费   3132篇
  国内免费   2080篇
化学   12528篇
晶体学   187篇
力学   1027篇
综合类   106篇
数学   1864篇
物理学   6892篇
  2024年   19篇
  2023年   398篇
  2022年   379篇
  2021年   626篇
  2020年   739篇
  2019年   716篇
  2018年   632篇
  2017年   573篇
  2016年   858篇
  2015年   826篇
  2014年   994篇
  2013年   1269篇
  2012年   1595篇
  2011年   1523篇
  2010年   1065篇
  2009年   995篇
  2008年   1103篇
  2007年   1035篇
  2006年   949篇
  2005年   856篇
  2004年   615篇
  2003年   516篇
  2002年   511篇
  2001年   397篇
  2000年   369篇
  1999年   428篇
  1998年   347篇
  1997年   337篇
  1996年   306篇
  1995年   269篇
  1994年   221篇
  1993年   198篇
  1992年   152篇
  1991年   135篇
  1990年   154篇
  1989年   111篇
  1988年   75篇
  1987年   52篇
  1986年   59篇
  1985年   59篇
  1984年   29篇
  1983年   30篇
  1982年   30篇
  1981年   19篇
  1980年   10篇
  1977年   3篇
  1957年   2篇
  1942年   2篇
  1930年   2篇
  1916年   3篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 150 毫秒
131.
Photoinduced synthesis of CO2 and CH4 was investigated using a batch reaction system on several photoactive materials supported on silicon dioxide. Single semiconductor showed higher selectivity to C1 compounds. The production of C2-C3 oxygenates took place preferentially on composite semiconductor photocatalysts. In particular, it was found that acetone was the primary product over Cu/CdS-TiO2/SiO2.  相似文献   
132.
We report on Raman scattering of VO2 films prepared by radio frequency magnetron sputtering under different conditions. Our investigations revealed that the dominated Raman peaks shift towards high frequency for both V-rich and O-rich VO2 films, compared with the stoichiometry VO2 films. The experimental evidence is presented and the cause for nonstoichiometry dependence of Raman spectra of VO2 films is discussed.  相似文献   
133.
1 引言 光电效应演示实验是普物的重要实验,但按紫外线照射锌板的方法难以成功,其原因为  相似文献   
134.
用射频磁控共溅射法制备了Cu体积分数分别为 10 % ,15 % ,2 0 %和 3 0 %的Cu MgF2 复合金属陶瓷薄膜 .用x射线衍射、x射线光电子能谱和变温四引线技术对薄膜的微结构、组分及电导特性进行了测试分析 .微结构分析表明 :制备的Cu MgF2 复合薄膜由fcc Cu晶态纳米微粒镶嵌于主要为非晶态的MgF2 陶瓷基体中构成 ,Cu晶粒的平均晶粒尺寸随组分增加从 11 9nm增至 17 8nm .5 0— 3 0 0K温度范围内的电导测试结果表明 :当Cu体积分数qM 由 15 %增加到 2 0 %时 ,Cu MgF2 复合薄膜的电阻减小了 8个量级 ,得出制备的复合薄膜渗透阈qCM 应处于 15 %和 2 0 %之间 .qM 在 10 %和 15 %之间的薄膜呈介质导电状态 ,而在 2 0 %和 3 0 %之间的薄膜则呈金属导电状态 .从理论上讨论了复合薄膜中杂质电导和本征电导的激活能及其对电导的贡献 ,并讨论了Cu MgF2 复合纳米金属陶瓷薄膜的渗透阈 ,得到了和实验一致的结果  相似文献   
135.
A series of side‐chain liquid‐crystalline (LC) homopolymers of poly[6‐(4‐methoxy‐4′‐oxy‐azobenzene) hexyl methacrylate] with different degrees of polymerization were synthesized by atom transfer radical polymerization (ATRP), which were prepared with a wide range of number‐average molecular weights from 5.1 × 103 to 20.6 × 103 with narrow polydispersities of around 1.17. Thermal investigation showed that the homopolymers exhibit two mesophases, a smectic phase, and a nematic phase, and the phase‐transition temperatures of the homopolymers increase clearly with increasing molecular weights. A series of novel LC coil triblock copolymers with narrow polydispersities was synthesized by ATRP, and their thermotropic phase behavior was investigated with differential scanning calorimetry and polarized optical microscopy. The LC coil triblocks were designed to have an LC conformation of poly[6‐(4‐methoxy‐4′‐oxy‐azobenzene) hexyl methacrylate] with a wide range of molecular weights from 3.5 × 103 to 1.7 × 104 and the coil conformation of poly(ethylene glycol) (PEG) (number‐average molecular weight: 6000 or 12,000) segment. Their characterization was investigated with 1H NMR, Fourier transform infrared spectra, and gel permeation chromatography. Triblock copolymers exhibited a crystalline phase, a smectic phase, and a nematic phase. The phase‐transition temperatures from the smectic to nematic phase and from the nematic to isotropic phase increased, and the crystallization of PEG depressed with increasing molecular weight of the LC block. © 2003 Wiley Periodicals, Inc. J Polym Sci Part A: Polym Chem 41: 2854–2864, 2003  相似文献   
136.
用角积分紫外光电子能谱技术测量了Yb2 75C6 0 薄膜的价带电子态密度分布 .相纯Yb2 75C6 0 样品通过C1s芯态x射线电子谱峰的位移表征 .结果表明Yb2 75C6 0 是半导体 ,在费米能级处几乎没有电子态分布 .Yb 6s电子态和C6 0 LU MO能带的杂化效应不可忽略 ,有部分Yb 6s电子分布在Yb C6 0 杂化能带上 .  相似文献   
137.
用B3LYP/6 31+G(d)和MP2 (Full) /6 31+G(d)优化ClONO2 及其分解反应和异构化反应的过渡态和产物的分子结构 .在B3LYP/6 31+G(d)水平上计算了相关分子的振动频率 .ClONO2 的几何结构、振动频率和红外强度与实验测量值符合得很好 .找到了未曾报道的立体异构体 .对这一立体异构体进行了高级别理论方法CCSD(T) /6 311G(d)和QCISD(T) /6 311G(d)的几何结构优化和振动频率计算 ,表明它是一个稳定的立体异构体 .在所研究的几种反应中 ,ClONO2 分解为NO2 +ClO是最容易进行的反应 .而ClONO2 异构为立体异构体的反应是最难进行的反应 .其所需克服的过渡态的能垒为 4 81.5 2kJ/mol,而反应吸收能量为 2 99.85kJ/mol.次难进行的是ClONO2 经TS1到反应中间体M1,再经TS12而分解为ClNO +O2 的反应 .这个反应通道所需克服过渡态的能垒为 4 2 1.5 5kJ/mol,反应吸收能量为 15 7.98kJ/mol.从以上分析可知 ,和ClO +NO2 反应生成ClONO2 比较 ,ClONO2 具有较好的稳定性 .  相似文献   
138.
戴耀东  王林  杨亚新  何云  黄红波  夏元复 《中国物理》2004,13(10):1652-1656
The polycrystalline sample of layered compound FePS_3 has been investigated by using M?ssbauer spectroscopy (12K to 300K), magnetic susceptibility measurements, x-ray diffraction and FTIR spectroscopy. The antiferromagnetic order exists below T_N=120.5±1K. The M?ssbauer spectra below T_N indicate that the magnetization axis is perpendicular to the layer of FePS_3, and the divalent iron cations are in their high spin configurations. By fitting the hyperfine field parameters near the Néel temperature, we obtain information on the nature of magnetic interactions in the material. The results show that the magnetic coupling can be treated by the two-dimensional Ising model, and it can be interpreted on the basis of a crystal-field effect.  相似文献   
139.
35Cr25Ni12奥氏体耐热钢中碳化物的电子显微分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
应用扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)研究了长期使用前后的35Cr25Ni12奥氏体耐热钢中的碳化物演变行为;该钢固溶时效后的组织由初晶奥氏体及M23C6共晶碳化物组成,奥氏体基体中析出了二次M23C6,二次碳化物总是与基体保持立方-立方取向关系;长期使用(3、5年)后,奥氏体中析出的二次碳化物量明显增加,部分M23C6已转变为M6C,M6C与奥氏体基体以及二次碳化物M23C6保持[001]M6C//[221]A//[221]M23C6孪晶取向关系。  相似文献   
140.
研究了阳离子表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵 (CTAB)对四 ( 4 N 甲基吡啶 )卟啉 (H2 TMPyP)及其银配合物 (AgTMPyP)在Ag胶中的表面增强拉曼散射 (SERS)谱的影响 .SERS光谱表明 ,吸附于Ag胶粒的H2 TMPyP与衬底银原子结合形成AgTMPyP ,加入CTAB后 ,部分AgTMPyP表面络合物还原为H2 TMPyP .相似的去金属化反应也出现在AgTMPyP/Ag胶 /CTAB体系中 .CTAB的加入使SERS谱带强度明显增加 .AgTMPyP的去金属化被认为是由于CTAB的存在使Ag胶颗粒表面附近微环境发生改变  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号